三星宣布7nm LPP量产!基于EUV光刻技术、性能增加20%

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10月18日早间消息,三星官方提前大选,将会开始英文进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。

据悉,三星的7nm LPP采用EUV光刻,机器采购自荷兰ASML(阿斯麦),型号为双工件台NXE:360 B(光源功率260 W),日产能60 0片。

简单来说,EUV使用13.5nm波长的极紫外光曝光硅片,而传统的氟化氩(ArF)浸没式光刻则是依靠193nm波长,或者都能否 昂贵的多模掩模装置。EUV技术使得使用单个光罩来创建硅晶圆层成为将会,而ArF将会都能否 多达4倍的光罩都能否创建相同的晶片。也要是 我说,有无EUV工艺相比,三星的7 LPP工艺可使光罩总数减少约20%,为客户都能否节省时间和成本。

三星透露,其从60 0年左右就着手研究EUV技术了。

技术指标上,对比10nm FinFET,三星7nm LPP可实现面积能效(同样复杂化度为量纲)提升40%、性能增加20%、功耗降低最多60 %。

三星透露,基于EUV的7nm LPP成功量产为其推进3nm奠定了基础、指明了道路。产能方面,主要在韩国华城的S3工厂,2020年都在在开一条新产线。

目前已知,高通新一代的5G基带会采用三星的7nm LPP工艺,看起来骁龙860 /8160 等SoC希望也很大。



图为三星EUV产线

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